NAND Flash

NAND Flash는 Floating Gate 또는 Charge Trap에 전하를 저장해 전원이 없어도 데이터를 유지한다. 셀의 문턱전압 범위를 여러 상태로 나누면 한 셀에 더 많은 비트를 저장할 수 있다.

SLC는 셀당 1bit, MLC는 2bit, TLC는 3bit, QLC는 4bit를 저장한다. 상태 수가 늘면 용량당 비용은 낮아지지만 상태 간 여유가 줄어 기록과 판독, 오류 정정이 복잡해지고 일반적으로 쓰기 내구도와 원시 속도가 낮아진다.

셀은 Page 단위로 읽고 쓰며 Block 단위로 지운다. Program/Erase 주기가 누적되면 절연층이 열화되고 데이터 유지와 오류율이 변한다. 컨트롤러는 Wear Leveling, Bad Block 관리, ECC와 Refresh로 이를 관리한다.

3D NAND는 셀을 수직 적층해 평면 면적당 용량을 늘린다. 적층 단수만으로 제품 성능을 판단할 수 없고 다이 밀도, 채널·Plane 병렬성, 컨트롤러와 펌웨어를 함께 본다.

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