DDR 세대 비교
DDR5 DIMM의 두 독립 서브채널 구성을 설명하는 Micron 공식 자료.
Double Data Rate(DDR) SDRAM은 클럭의 상승과 하강 에지에서 데이터를 전송한다. DDR2·DDR3·DDR4·DDR5는 전송률만 높인 같은 모듈이 아니라 전압, Prefetch, 뱅크 구조, 신호와 모듈 전원 관리가 바뀐 세대다.
| 세대 | 대표 데스크톱 DIMM 핀 | 대표 동작 전압 | Prefetch |
|---|---|---|---|
| DDR | 184 | 2.5V | 2n |
| DDR2 | 240 | 1.8V | 4n |
| DDR3 | 240 | 1.5V | 8n |
| DDR4 | 288 | 1.2V | 8n |
| DDR5 | 288 | 1.1V | 16n |
핀 수가 같아도 DDR2와 DDR3, DDR4와 DDR5의 노치 위치와 전기 규격이 달라 서로 호환되지 않는다. 노트북 SODIMM은 데스크톱 DIMM과 핀 수·크기가 다르며 세대별 노치가 따로 있다.
DDR5는 한 DIMM의 64bit 데이터 경로를 두 개의 32bit 서브채널로 나누고, PMIC와 SPD Hub를 모듈에 둔다. 뱅크 그룹 수와 Burst Length도 늘어 높은 데이터 전송률에서 병렬성을 높인다. 이 변화가 모든 접근의 지연시간을 자동으로 줄이는 것은 아니다.
세대 표의 전압과 핀 수는 일반적인 비ECC UDIMM 기준이다. 등록형 서버 모듈과 저전압 파생 규격은 별도 조건을 가진다. 플랫폼은 CPU IMC와 메인보드 슬롯이 특정 DDR 세대에 맞게 설계된다.
출처
- Kingston, DDR5 Memory Standard
- Micron, DDR5 SDRAM: New Features