HMY-Wiki 메모리(RAM) 통합 조사·문서화 프롬프트
너는 PC 하드웨어, DRAM 반도체, 메모리 모듈, 서버 플랫폼, 모바일 SoC 분야의 기술 조사 및 위키 문서 작성 전문가다.
HMY-Wiki에 게시할 메모리(RAM) 통합 위키를 구축한다.
단순 제품 나열이 아니라 메모리 기술의 발전 → 규격 → 구조 → 제조사 → 제품군 → DRAM 다이 → 호환성 → 오버클럭 → 서버·모바일 메모리 → 고장 진단까지 서로 연결되는 지식 체계로 작성한다.
기존 첨부 자료의 내용을 기초 데이터로 활용하되, 그대로 신뢰하지 말고 2026년 현재 기준 공식 자료와 신뢰 가능한 자료로 재검증한다.
1. 조사 범위
PC 메모리 세대
2000년 이후 PC에서 실제 사용된 메모리를 중심으로 조사한다.
-
SDR SDRAM
-
DDR SDRAM
-
DDR2
-
DDR3
-
DDR4
-
DDR5
-
향후 DDR6
- 공식 확정 정보와 로드맵을 구분
- 미출시 사양은 추정 금지
각 세대마다 다음 내용을 조사한다.
- 발표 시기
- 상용화 시기
- JEDEC 표준
- 동작 전압
- Prefetch 구조
- 데이터 전송률
- DIMM 핀 수
- Bank / Bank Group 구조
- Burst Length
- Channel 구조
- 주요 CPU 플랫폼
- 대표 칩셋
- 대표 용량
- Rank 구조
- 세대별 주요 변화
- 이전 세대 대비 장점
- 실제 성능 차이
- 호환성
2. DIMM 폼팩터
별도 문서로 구성한다.
- UDIMM
- SO-DIMM
- MicroDIMM
- ECC UDIMM
- RDIMM
- LRDIMM
- NVDIMM
- CUDIMM
- CSODIMM
- CAMM
- CAMM2
- LPCAMM2
각 규격마다 다음을 설명한다.
- 용도
- 핀 수
- 전기적 구조
- 일반 DIMM과의 차이
- 지원 플랫폼
- 서버/데스크톱/노트북 구분
- 상호 호환 여부
- 현재 사용 상태
3. DDR5 구조 심화
다음 항목은 각각 상세 문서로 분리한다.
- DDR5 PMIC
- SPD Hub
- SPD EEPROM
- CKD
- DDR5 On-die ECC
- DDR5 Subchannel
- DDR5 Bank Group
- DDR5 Refresh 구조
- DDR5 전원 구조
특히 다음 오해를 명확히 설명한다.
DDR5 On-die ECC는 일반적인 서버용 ECC Memory와 동일하지 않다.
4. DRAM 기본 구조
초보자도 이해할 수 있게 단계적으로 설명한다.
- DRAM Cell
- Capacitor
- Transistor
- Row
- Column
- Bank
- Bank Group
- Rank
- Channel
- Subchannel
- Burst
- Refresh
- Row Buffer
- Memory Controller
다음 관계도 설명한다.
CPU
↓
Memory Controller
↓
Memory Channel
↓
DIMM
↓
Rank
↓
DRAM Chip
↓
Bank
↓
Row / Column
↓
DRAM Cell
5. 메모리 용어 사전
다음 항목을 각각 내부 링크 가능한 문서로 만든다.
- MT/s
- MHz
- CAS Latency
- CL
- tRCD
- tRP
- tRAS
- tRFC
- tREFI
- Command Rate
- Gear Mode
- Memory Controller
- IMC
- Rank
- Single Rank
- Dual Rank
- Quad Rank
- x4
- x8
- x16
- 1Rx8
- 1Rx16
- 2Rx8
- DIMM
- Channel
- Dual Channel
- Quad Channel
- JEDEC
- SPD
- XMP
- EXPO
- ECC
- Registered
- Buffered
- Unbuffered
6. 메모리 속도와 레이턴시
단순히 클럭이 높으면 빠르다고 설명하지 않는다.
다음 요소를 함께 설명한다.
- MT/s
- 실제 Memory Clock
- CAS Latency
- First Word Latency
- 대역폭
- 채널 수
- Rank
- CPU IMC
- 메인보드 Memory Topology
실제 레이턴시 계산식도 포함한다.
예:
DDR5-6000 CL30
Memory Clock = 3000 MHz
CAS Latency:
30 ÷ 3000 MHz ≈ 10 ns
DDR4-3200 CL16과 DDR5-6000 CL30 등을 비교하여
- 대역폭
- CAS Latency
- 실제 성능
차이를 설명한다.
7. 메인보드 메모리 토폴로지
별도 상세 문서 작성.
- Daisy Chain
- T-Topology
각 구조가 다음 조건에 미치는 영향을 설명한다.
- 1 DIMM Per Channel
- 2 DIMM Per Channel
- 2 DIMM 구성
- 4 DIMM 구성
- 메모리 오버클럭
- 신호 무결성
8. CPU 메모리 컨트롤러
주요 CPU 플랫폼별로 정리한다.
Intel
예:
- Pentium 4
- Core 2
- Nehalem
- Sandy Bridge
- Haswell
- Skylake
- Coffee Lake
- Alder Lake
- Raptor Lake
- Meteor Lake
- Arrow Lake
- 이후 플랫폼
AMD
예:
- Athlon 64
- Phenom
- Bulldozer
- Zen
- Zen+
- Zen 2
- Zen 3
- Zen 4
- Zen 5
- 이후 플랫폼
각 세대에서
- 메모리 컨트롤러 위치
- 지원 DDR 세대
- 공식 메모리 속도
- 채널 수
- ECC 지원
- 최대 용량
- 주요 특징
을 조사한다.
9. DRAM 원제조사
다음 회사들은 별도 문서로 작성한다.
- Samsung Electronics
- SK hynix
- Micron Technology
- Nanya Technology
- CXMT
- Winbond
- 기타 실제 DRAM 제조사가 확인되는 업체
각 제조사마다 다음을 조사한다.
- 회사 개요
- DRAM 사업 역사
- DDR 세대별 생산
- 주요 Fab
- 주요 공정
- DRAM Density
- PC DRAM
- Mobile DRAM
- Server DRAM
- 주요 Die Family
- 시장 내 위치
DRAM Fab을 보유한 회사와 단순 메모리 모듈 브랜드를 반드시 구분한다.
10. DRAM Die 데이터베이스
제조사별 문서를 생성한다.
예:
Samsung
- DDR3 Die
- DDR4 B-die
- DDR4 C-die
- DDR4 D-die
- DDR5 Die Families
SK hynix
DDR4와 DDR5를 반드시 분리한다.
- AFR
- MFR
- CJR
- DJR
- DDR5 M-die
- DDR5 A-die
- 이후 확인된 Die
Micron
- Rev.E
- Rev.B
- 기타 DDR4 Revision
- DDR5 Revision
각 Die마다:
- DDR 세대
- 제조사
- Die 공식 명칭
- 커뮤니티 명칭
- Density
- 공정
- 일반적인 적용 제품
- 오버클럭 특성
- 전압 특성
- 주요 타이밍 특성
- 공식 확인 여부
를 기록한다.
커뮤니티에서 사용하는 A-die, M-die, B-die 등의 명칭은 공식 Part Number와 반드시 분리한다.
11. 메모리 모듈 제조사·브랜드
주요 브랜드마다 독립 문서를 만든다.
글로벌
- Kingston
- Kingston FURY
- Corsair
- G.SKILL
- TEAMGROUP
- T-FORCE
- T-CREATE
- ADATA
- XPG
- KLEVV
- ESSENCORE
- Patriot
- Viper
- PNY
- XLR8
- Transcend
- Apacer
- Silicon Power
- Lexar
- GeIL
- v-color
- Netac
- OLOy
- BIWIN
- Predator Memory
- HIKSEMI
- Asgard
- GLOWAY
- KINGBANK
- JUHOR
- Colorful
- GALAX
- AORUS Memory
- Thermaltake
대한민국 시장
- Samsung
- SK hynix
- TAMMUZ
- KINGDOM
- ROIPLE
- ANACOMDA
- EKMEMORY
- TREB
그리고 추가 조사에서 확인되는 국내 브랜드를 포함한다.
12. 브랜드 문서 작성 구조
각 브랜드 문서는 다음 형식을 따른다.
브랜드명
개요
운영 회사
국가
DRAM 원제조사 여부
모듈 제조 여부
주요 제품군
DDR4
DDR5
SO-DIMM
ECC / Server
사용 DRAM
공식적으로 확인된 경우에만 기록한다.
대표 시리즈
XMP / EXPO
QVL
국내 유통
국내 A/S
장점
주의점
관련 문서
13. 동일 SKU의 BOM 변경
매우 중요하게 다룬다.
동일한 제품명이더라도 다음이 바뀔 수 있다.
- DRAM 제조사
- Die
- PCB
- PMIC
- SPD Hub
- Rank
- x8/x16 구성
- 제조국
따라서 다음처럼 단정하지 않는다.
Corsair Vengeance DDR5-6000 CL30 = Hynix A-die
대신:
특정 Part Number / Revision / 생산 Lot에서 SK hynix A-die가 확인된 사례가 있다.
형태로 작성한다.
가능하면 다음을 함께 기록한다.
- Part Number
- Manufacturer Revision
- Corsair Ver
- PCB Revision
- Lot
- 제조주차
- SPD
- IC Marking
14. XMP와 EXPO
독립 문서 작성.
Intel XMP
- XMP 1.x
- XMP 2.0
- XMP 3.0
AMD
- AMP
- DOCP
- A-XMP
- EXPO
각 기술에 대해
- 공식 기술
- 메인보드 제조사 명칭
- 저장 위치
- SPD와의 관계
- 전압
- 오버클럭
- 안정성
을 설명한다.
중요:
XMP / EXPO 속도와 JEDEC 기본 속도를 분리한다.
15. 서버 메모리
별도 허브를 만든다.
서버 메모리
하위 문서:
- ECC Memory
- ECC UDIMM
- RDIMM
- LRDIMM
- 3DS RDIMM
- NVDIMM
- MRDIMM
- CXL Memory
- Chipkill
- Memory Scrubbing
- Memory Mirroring
- Memory Sparing
Intel Xeon, AMD EPYC 등 실제 서버 플랫폼과 연계한다.
16. 모바일 메모리
PC RAM 문서와 분리된 허브로 만든다.
LPDDR
- LPDDR
- LPDDR2
- LPDDR3
- LPDDR4
- LPDDR4X
- LPDDR5
- LPDDR5X
- 이후 공식 규격
각 세대마다
- 발표 시기
- 전압
- 속도
- 소비전력
- 주요 변화
- 적용 SoC
- 스마트폰
- 태블릿
- 노트북
을 정리한다.
17. Apple Unified Memory
독립 문서 작성.
다음 개념을 설명한다.
- Apple Silicon
- Unified Memory Architecture
- LPDDR
- SoC Package
- Memory Bandwidth
- CPU/GPU Shared Memory
다음 오해도 설명한다.
Unified Memory가 일반 DIMM보다 무조건 빠른 것은 아니다.
용도와 구조 차이 중심으로 설명한다.
18. 메모리 채널
별도 문서 구성.
- Single Channel
- Dual Channel
- Triple Channel
- Quad Channel
- Hexa Channel
- Octa Channel
- Subchannel
실제 사용 플랫폼도 연결한다.
예:
- Intel X58 Triple Channel
- Threadripper Quad Channel
- Xeon
- EPYC
19. Rank와 메모리 조직
아래 항목은 상세히 설명한다.
- Single Rank
- Dual Rank
- Quad Rank
그리고:
- 1Rx8
- 1Rx16
- 2Rx8
차이도 별도 문서로 작성한다.
특히 1Rx8 / 1Rx16이 실제 PC 성능과 호환성에 어떤 영향을 미칠 수 있는지 근거를 바탕으로 설명한다.
20. 메모리 용량 기술
다음을 조사한다.
- 512MB
- 1GB
- 2GB
- 4GB
- 8GB
- 16GB
- 24GB
- 32GB
- 48GB
- 64GB
- 96GB
- 128GB 이상
24GB / 48GB DIMM 등장 배경도 설명한다.
- 16Gbit DRAM
- 24Gbit DRAM
- 32Gbit DRAM
등 DRAM Density와 연계한다.
21. QVL
ASUS / MSI / GIGABYTE / ASRock 등 메인보드 제조사의 QVL을 조사한다.
다음 필드를 구분한다.
- Memory Vendor
- Part Number
- Memory Size
- Speed
- DIMM Socket Support
- Chip Vendor
- Rank
- Timing
- Voltage
QVL의 의미도 명확히 설명한다.
QVL 등록 = 해당 조건에서 제조사가 검증한 제품
QVL 미등록 ≠ 비호환
정확한 Part Number 중심으로 평가한다.
22. 메모리 혼용
별도 실무 문서 작성.
다음 조합을 설명한다.
- 서로 다른 용량
- 서로 다른 속도
- 서로 다른 CL
- 서로 다른 전압
- 서로 다른 Rank
- 서로 다른 DRAM Die
- 서로 다른 브랜드
- 단품 DIMM 2개
- 2DIMM Kit
- 4DIMM 구성
왜 동일 모델도 혼용 문제가 발생할 수 있는지 BOM 변경과 연결해 설명한다.
23. DDR5 4DIMM 문제
상세 문서 작성.
다음 원인을 설명한다.
- CPU IMC 부하
- Memory Trace
- Daisy Chain
- DPC
- Rank
- DRAM Density
- 신호 무결성
그리고
1DPC / 2DPC
의 차이를 설명한다.
24. Memory Gear
Intel / AMD의 메모리 컨트롤러 동작 비율을 조사한다.
예:
- Intel Gear 1
- Gear 2
- Gear 4
- AMD UCLK
- MCLK
- FCLK
DDR4 / DDR5와 플랫폼별 차이를 설명한다.
25. 오버클럭
별도 허브 생성.
하위 문서:
- Memory Overclocking
- XMP
- EXPO
- DRAM Voltage
- VDD
- VDDQ
- VPP
- SoC Voltage
- IMC Voltage
- Timing Tuning
- Memory Training
안전 전압을 임의로 제시하지 말고
- 제조사 공식 범위
- 일반적인 튜닝 사례
- 위험 영역
을 구분한다.
26. 메모리 테스트
AS 및 실무용 상세 문서를 만든다.
- MemTest86
- MemTest86+
- Windows Memory Diagnostic
- TestMem5
- Karhu RAM Test
- HCI MemTest
- OCCT Memory
- Prime95
- y-cruncher
각 프로그램마다:
- 용도
- OS
- 테스트 방식
- 무료/유료
- 장점
- 한계
- 오류 판단법
을 작성한다.
27. 메모리 불량·A/S
현장 기술지원용 문서 작성.
메모리 불량 증상
- 부팅 불가
- POST 실패
- DRAM LED
- 블루스크린
- 프로그램 종료
- 압축 오류
- 파일 손상
- 게임 크래시
- 재부팅
- 설치 오류
진단 순서
원인 → 근거 → 결론 → 조치
형식으로 작성한다.
예:
- BIOS 기본값
- XMP / EXPO OFF
- DIMM 재장착
- 슬롯 변경
- 단일 DIMM 테스트
- Memory Test
- CPU IMC 확인
- 메인보드 DIMM Slot 확인
- CPU Socket Pin 확인
28. DDR5 Memory Training
다음 내용을 별도 문서로 작성한다.
- Memory Training
- 첫 부팅 지연
- BIOS Update
- Memory Context Restore
- Power Down Enable
- AM5 Training
단순히 부팅이 오래 걸린다고 불량으로 판단하지 않도록 설명한다.
29. 실제 성능
벤치마크 자료가 있으면 다음을 비교한다.
- DDR4 vs DDR5
- Single Channel vs Dual Channel
- 1Rx8 vs 1Rx16
- Single Rank vs Dual Rank
- DDR5-4800 vs 6000
- DDR5-6000 vs 7200 이상
- Gaming
- Productivity
- Compression
- Integrated GPU
- AI / LLM
벤치마크는 테스트 환경을 반드시 기록한다.
30. iGPU와 메모리
별도 문서 작성.
- Intel UHD / Xe
- AMD Radeon iGPU
- Ryzen APU
에서
- Memory Speed
- Dual Channel
- Memory Bandwidth
가 GPU 성능에 미치는 영향을 설명한다.
31. AI·LLM과 시스템 메모리
현대 시스템과 연결한다.
- System RAM
- VRAM
- Unified Memory
- Shared GPU Memory
- Memory Bandwidth
- Memory Capacity
로컬 LLM 실행 시
- 모델 로딩
- CPU Offload
- GPU Offload
- RAM 부족
- Swap
과 어떤 관계가 있는지 설명한다.
32. 시각 자료
각 문서에서 실제 이해에 도움이 되는 이미지가 있으면 포함한다.
우선순위:
- JEDEC / 제조사 공식 이미지
- 공식 데이터시트·White Paper·사용자 설명서 그림
- 제조사 공식 스토어 또는 신뢰 가능한 쇼핑몰의 고해상도 상세 이미지
- 기타 1차 출처로 추적 가능한 기술 자료
가능하면 다음 이미지를 확보한다.
- DDR 세대별 DIMM 비교
- DDR4 DIMM
- DDR5 DIMM
- SO-DIMM
- RDIMM
- PMIC
- DRAM IC
- DRAM Cell
- Rank 구조
- Memory Channel
- DDR5 Subchannel
- Daisy Chain
- T-Topology
- CAMM2
- 서버 메모리
이미지 아래에 반드시:
- 설명
- 출처
- 원본 URL
- 라이선스
를 기록한다.
저작권 상태를 확인할 수 없으면 이미지 자체를 저장하지 말고 링크만 제공한다.
33. 동영상 자료
유용한 공식 또는 기술 교육 영상이 있다면 추가한다.
우선:
- JEDEC
- Intel
- AMD
- Micron
- Samsung Semiconductor
- SK hynix
- Kingston
- Crucial
- 메인보드 제조사
영상마다:
- 제목
- 제작자
- URL
- 문서에서 참고할 부분
을 기록한다.
홍보성 영상은 핵심 자료로 사용하지 않는다.
34. 출처 정책
우선순위:
A
- JEDEC
- Intel
- AMD
- Samsung Semiconductor
- SK hynix
- Micron
- Nanya
- 메모리 제조사 공식 데이터시트
- 메인보드 공식 QVL
B
- 제조사 공식 제품 페이지
- 공식 기술 블로그
- 공식 보도자료
C
- AnandTech
- Tom’s Hardware
- TechPowerUp
- ServeTheHome
- Chips and Cheese 등 전문 기술 분석
D
- 실제 SPD Dump
- 실물 IC 사진
- PCB 분석
E
- 판매처
- 커뮤니티
E급 자료만 있는 정보는 사실로 확정하지 않는다.
35. 정보 표기
확실하지 않은 정보는 다음 중 하나로 표시한다.
확인 필요관련 정보 없음공식 확인 불가SKU별 상이생산 Lot별 상이
추정으로 빈칸을 채우지 않는다.
36. Obsidian 문서 구조
최종 결과는 단일 Markdown 문서가 아니라 Obsidian Vault용 여러 Markdown 파일로 생성한다.
권장 구조:
Memory/
├── 00 메모리 허브.md
│
├── 01 기초/
│ ├── RAM이란.md
│ ├── DRAM 구조.md
│ ├── 메모리 채널.md
│ ├── Rank.md
│ ├── 메모리 타이밍.md
│ └── SPD.md
│
├── 02 DDR/
│ ├── DDR SDRAM.md
│ ├── DDR2.md
│ ├── DDR3.md
│ ├── DDR4.md
│ ├── DDR5.md
│ └── DDR6.md
│
├── 03 폼팩터/
│ ├── UDIMM.md
│ ├── SO-DIMM.md
│ ├── RDIMM.md
│ ├── LRDIMM.md
│ ├── CUDIMM.md
│ ├── CSODIMM.md
│ └── CAMM2.md
│
├── 04 DRAM 제조사/
│ ├── Samsung.md
│ ├── SK hynix.md
│ ├── Micron.md
│ ├── Nanya.md
│ └── CXMT.md
│
├── 05 메모리 브랜드/
│ ├── Kingston.md
│ ├── Corsair.md
│ ├── G.SKILL.md
│ ├── TEAMGROUP.md
│ ├── ADATA.md
│ ├── KLEVV.md
│ └── ...
│
├── 06 DRAM Die/
│ ├── Samsung DDR4 Die.md
│ ├── SK hynix DDR4 Die.md
│ ├── SK hynix DDR5 Die.md
│ └── Micron Die.md
│
├── 07 오버클럭/
│ ├── XMP.md
│ ├── AMD EXPO.md
│ ├── 메모리 오버클럭.md
│ └── Memory Training.md
│
├── 08 서버 메모리/
│ ├── ECC.md
│ ├── RDIMM.md
│ ├── LRDIMM.md
│ ├── MRDIMM.md
│ └── CXL Memory.md
│
├── 09 모바일/
│ ├── LPDDR.md
│ ├── LPDDR4X.md
│ ├── LPDDR5.md
│ ├── LPDDR5X.md
│ └── Unified Memory.md
│
├── 10 호환성/
│ ├── QVL.md
│ ├── 메모리 혼용.md
│ ├── DDR5 4DIMM.md
│ └── Daisy Chain vs T-Topology.md
│
└── 11 진단/
├── 메모리 불량 증상.md
├── 메모리 테스트.md
└── 메모리 A-S 진단 절차.md37. 내부 링크
Obsidian 내부 링크를 적극 사용한다.
예:
DDR5에서는 PMIC와 [[SPD|SPD Hub]]가 DIMM에 포함됩니다.
고클럭 설정은 [[Intel XMP]] 또는 [[AMD EXPO]]를 사용할 수 있습니다.
4DIMM 구성의 안정성은 Memory Controller, [[Daisy Chain vs T-Topology|Daisy Chain]], [[Rank와 메모리 조직|Rank]]와 관계가 있습니다.
메모리 오류가 의심되면 [[메모리 테스트]] 절차를 진행합니다.동일 내용을 여러 문서에 복사하지 않는다.
핵심 개념은 별도 문서로 작성하고 내부 링크한다.
38. 문체
HMY-Wiki 문체를 사용한다.
조건:
- 초보자도 이해할 수 있도록 설명
- 지나치게 딱딱한 논문 문체 금지
- 기술 정확성 유지
- 마케팅 표현 금지
- 근거 없는 성능 평가 금지
- 브랜드 팬덤식 표현 금지
- “~로 알려져 있다” 남발 금지
- 단정하기 어려운 정보는 명확하게 표시
전문 용어는 처음 등장할 때 쉽게 풀어서 설명한다.
39. 각 문서 기본 형식
---
title:
category:
tags:
- Memory
- RAM
aliases:
---
# 문서 제목
> [!summary]
>
> 핵심 내용을 2~4줄로 요약한다.
## 개요
## 기술 구조
## 주요 특징
## 세부 사양
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 규격 | |
| 속도 | |
| 전압 | |
| 용도 | |
## 실제 사용
## 호환성
## 주의사항
## 관련 문서
- 문서
- 문서
## 참고 자료
- [자료명](URL)필요하지 않은 섹션은 억지로 넣지 않는다.
40. 허브 문서
00 메모리 허브.md는 전체 Memory Wiki의 시작점으로 만든다.
예:
# 메모리
컴퓨터의 메모리는 CPU가 처리할 데이터를 임시 저장하는 고속 저장장치다.
## 처음 읽는다면
1. [[RAM이란]]
2. [[DRAM 구조]]
3. [[DDR 세대 비교|DDR 메모리]]
4. [[메모리 채널]]
5. [[Rank와 메모리 조직|Rank]]
6. [[메모리 타이밍]]
## DDR 세대
- [[DDR SDRAM]]
- [[DDR2]]
- [[DDR3]]
- [[DDR4]]
- [[DDR5]]
## 메모리 제조사
- [[Samsung DRAM|Samsung]]
- [[SK hynix DRAM|SK hynix]]
- [[Micron]]
- [[Nanya]]
- [[CXMT]]
## 메모리 브랜드
...
## 고급 주제
- [[Intel XMP]]
- [[AMD EXPO]]
- [[Memory Training]]
- [[메모리 오버클럭]]
- [[DDR5 4DIMM]]41. 기존 첨부 자료 활용
첨부된 기존 DDR4·DDR5 조사 자료는 폐기하지 않는다.
다음 내용을 우선 활용한다.
- 제조사 / 브랜드 Master
- 국내 브랜드
- SKU 분류
- DRAM Die
- BOM Observation
- SPD
- QVL
- 근거 등급
- Verification Status
다만 모든 사실은 가능한 범위에서 최신 공식 자료와 다시 대조한다.
기존 내용과 최신 공식 자료가 충돌하면:
- 최신 공식 자료 확인
- 날짜 비교
- 변경 여부 확인
- 기존 자료가 과거 기준이었다면 역사 정보로 유지
- 오류였다면 수정
한다.
42. URL 정책
가능하면 각 기술 문서에 직접 연결되는 URL을 제공한다.
좋음:
제조사 DDR5 기술 페이지
특정 제품 공식 페이지
공식 데이터시트
공식 QVL피할 것:
Google 검색 URL
검색 결과 페이지
출처가 불명확한 요약 사이트
Affiliate 페이지43. 최신 정보
다음 정보는 반드시 웹에서 최신 상태를 확인한다.
- 현재 판매 메모리 제품
- 제조사 신제품
- DDR5 최신 JEDEC 규격
- CUDIMM
- CSODIMM
- CAMM2
- LPCAMM2
- MRDIMM
- CXL Memory
- DDR6
- DRAM 제조사 현황
- 메모리 브랜드 사업 종료·인수
- 국내 유통사
- 제품 보증 정책
조사 기준일을 각 문서에 기록한다.
44. 최종 검증
완성 전 다음 사항을 검사한다.
- DRAM 제조사와 모듈 브랜드를 혼동하지 않았는가
- DDR 세대를 혼동하지 않았는가
- DDR4 / DDR5 Die 명칭을 혼용하지 않았는가
- MHz와 MT/s를 혼동하지 않았는가
- On-die ECC를 시스템 ECC라고 설명하지 않았는가
- XMP / EXPO 속도를 JEDEC 속도로 표기하지 않았는가
- QVL 미등록을 비호환이라고 단정하지 않았는가
- 동일 SKU의 DRAM Die를 무조건 고정하지 않았는가
- 제조사 관계만으로 DRAM 공급사를 추정하지 않았는가
- 커뮤니티 다이 정보를 공식 정보처럼 작성하지 않았는가
- 공식 URL이 존재하는가
- 날짜가 오래된 자료는 최신 자료와 비교했는가
- 내부 링크가 정상적으로 연결되는가
- 문서 내용이 다른 문서와 불필요하게 중복되지 않는가
45. 최종 출력
조사 과정, 검색 과정, 내부 판단 과정은 출력하지 않는다.
최종적으로 다음만 제공한다.
- Obsidian 폴더 구조
- 완성된 각
.md문서 - 문서별 참고 URL
- 사용할 수 있는 이미지 출처
- 관련 영상
- 추가 확인이 필요한 항목
각 Markdown 문서는 Obsidian Vault에 그대로 저장할 수 있는 완성형 문서로 작성한다.
단일 문서에 모든 내용을 몰아넣지 않는다.
허브 → 분야 → 기술 → 제조사/제품 형태의 계층 구조와 내부 링크를 이용하여 HMY-Wiki 전체가 서로 연결되도록 구성한다.