Rank와 메모리 조직
이미지 자료
설명: Samsung DDR5 공식 제품 이미지
출처: Samsung Semiconductor
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Summary
Rank는 메모리 컨트롤러가 하나의 단위로 선택해 접근하는 DRAM 칩 집합이다. 1Rx8·2Rx8 표기는 Rank 수와 DRAM 장치 폭을 함께 나타낸다.
표기 읽기
1Rx8: Single Rank, 각 DRAM 장치 폭 x81Rx16: Single Rank, 각 DRAM 장치 폭 x162Rx8: Dual Rank, 각 DRAM 장치 폭 x8
Rank와 칩 개수
외관상 칩 개수만 보고 Rank를 확정하면 안 된다. 고밀도 DRAM, 스택 패키지, 양면 실장 여부에 따라 외관과 논리 Rank가 일치하지 않을 수 있다.
성능
Dual Rank는 Rank Interleaving으로 일부 워크로드에서 효율이 좋아질 수 있지만, 메모리 컨트롤러의 전기적 부하는 증가한다. 특히 4DIMM·고클럭 환경에서는 Rank 수가 안정성에 영향을 줄 수 있다.
확인 방법
공식 데이터시트, SPD 정보, 모듈 Part Number를 우선 확인한다. CPU-Z/HWiNFO는 편리하지만 최종 검증에는 SPD Raw와 제조사 자료가 더 좋다.
관련 문서
Rank와 메모리 조직
Summary
Rank는 메모리 컨트롤러가 하나의 단위로 선택해 접근하는 DRAM 칩 집합입니다. 1Rx8·2Rx8 표기는 Rank 수와 DRAM 장치 폭을 함께 나타냅니다.
표기 읽기
1Rx8: Single Rank, 각 DRAM 장치 폭 x81Rx16: Single Rank, 각 DRAM 장치 폭 x162Rx8: Dual Rank, 각 DRAM 장치 폭 x8
Rank와 칩 개수
외관상 칩 개수만 보고 Rank를 확정하면 안 됩니다. 고밀도 DRAM, 스택 패키지, 양면 실장 여부에 따라 외관과 논리 Rank가 일치하지 않을 수 있습니다.
성능
Dual Rank는 Rank Interleaving으로 일부 워크로드에서 효율이 좋아질 수 있지만, 메모리 컨트롤러의 전기적 부하는 증가합니다. 특히 4DIMM·고클럭 환경에서는 Rank 수가 안정성에 영향을 줄 수 있습니다.
확인 방법
공식 데이터시트, SPD 정보, 모듈 Part Number를 우선 확인합니다. CPU-Z/HWiNFO는 편리하지만 최종 검증에는 SPD Raw와 제조사 자료가 더 좋습니다.
시각자료로 이해하기 · V4
쉽게 이해하기
RAM은 작업할 자료를 잠깐 펼쳐 놓는 책상에 가깝다. 책상이 넓으면 동시에 펼칠 자료가 많아지지만, CPU·채널·속도·지연시간도 성능에 영향을 준다.
도식: HMY-Wiki 자체 제작. 실제 제품의 위치·치수·배선은 모델별로 다를 수 있다.
그림에서 확인할 것
- 부품의 모양·위치·연결 방향을 먼저 확인한다.
- 비슷하게 생긴 규격은 본문 표와 제조사 매뉴얼을 함께 대조한다.
- 사진은 대표 예시이며 실제 제품은 제조사·세대·폼팩터에 따라 달라질 수 있다.