NAND Flash
Summary
NAND Flash는 전원이 꺼져도 데이터를 보존하는 비휘발성 반도체 메모리다. SSD에서는 페이지 단위 읽기·프로그램과 블록 단위 삭제라는 물리 특성을 컨트롤러와 펌웨어가 관리한다.
페이지와 블록
| 단위 | 일반적 역할 | SSD에서의 의미 |
|---|---|---|
| 셀(Cell) | 전하 상태로 비트를 저장 | 셀당 비트 수에 따라 SLC·MLC·TLC·QLC로 구분한다. |
| 페이지(Page) | 읽기·프로그램의 기본 단위 | 새 데이터를 기록할 때 사용한다. |
| 블록(Block) | 여러 페이지의 묶음 | 삭제는 일반적으로 블록 단위로 수행한다. |
| 다이(Die) | NAND 칩 내부의 독립 동작 단위 | 여러 다이를 병렬 활용하면 처리량에 영향을 줄 수 있다. |
기존 데이터를 새 값으로 덮어쓸 때 NAND는 일반적인 RAM처럼 제자리 쓰기를 하지 못한다. 컨트롤러는 새 페이지에 데이터를 기록하고, 더 이상 유효하지 않은 페이지가 쌓인 블록은 나중에 정리한다. 이 과정이 Garbage Collection, Wear Leveling, FTL과 연결된다.
셀당 비트 수와 제품 특성
셀당 비트 수만으로 모든 SSD의 빠르기·내구성·품질을 판정할 수 없다. 컨트롤러, 오류 정정, 오버프로비저닝, 캐시 정책, 용량, 워크로드, 보증 조건이 함께 결과를 좌우한다. 예를 들어 TLC/QLC SSD의 SLC 캐시는 짧은 쓰기 성능을 높일 수 있지만, 캐시가 소진된 뒤의 지속 쓰기 성능은 별도 조건에서 평가해야 한다.
3D NAND와 내구성
3D NAND는 셀을 수직 방향으로 적층해 집적도를 높이는 기술이다. NAND 기반 SSD는 유한한 프로그램/삭제(P/E) 주기를 가지며, 실제 내구성은 쓰기 패턴·여유 공간·온도·펌웨어 동작에 따라 달라진다. SNIA는 SSD 내구성이 순차/무작위 쓰기, 블록 크기, 여유 공간·오버프로비저닝 같은 워크로드 조건에 크게 영향을 받는다고 설명한다.
관련 문서
출처
- Micron, NAND Flash — NAND Flash 제품·기술 정보. 확인일: 2026-08-13.
- SNIA, Endurance of NVMe, SAS, and SATA SSDs — 워크로드·여유 공간과 SSD 내구성의 관계. 확인일: 2026-08-13.