메모리
시스템 메모리는 CPU가 곧 사용할 코드와 데이터를 저장장치보다 가까운 곳에 보관한다. 전원이 꺼지면 내용이 사라지는 휘발성 메모리지만, 저장장치보다 지연시간이 훨씬 짧고 대역폭이 커서 실행 중인 프로그램의 작업 공간이 된다. 용량이 부족하면 운영체제가 저장장치를 보조 공간으로 사용하면서 응답성이 크게 떨어진다.
PC의 주 메모리는 대부분 동적 임의 접근 메모리(Dynamic Random Access Memory, DRAM)다. DRAM 셀은 전하가 새어 나가므로 주기적인 리프레시가 필요하다. 셀은 행과 열, 뱅크와 뱅크 그룹으로 조직되고, 메모리 컨트롤러는 원하는 데이터가 있는 행을 열고 읽거나 쓴다. 타이밍 숫자는 이 과정에 필요한 대기 주기를 나타낸다.
DDR4와 DDR5 같은 세대 이름은 단순 속도 등급이 아니다. 전압, 신호 방식, 채널 구성, 전원 관리, DIMM 노치 위치가 달라 서로 바꿔 꽂을 수 없다. UDIMM·SODIMM은 물리 형태와 용도를 구분하고, RDIMM·LRDIMM은 서버 플랫폼의 신호 부하와 용량 확장을 위해 다른 버퍼 구조를 사용한다. LPDDR, GDDR, HBM은 같은 DRAM 계열이지만 모바일 전력, 그래픽 대역폭, 가속기 패키징이라는 서로 다른 목표에 맞춰 설계된다.
실제 구성에서는 채널, 랭크, DIMM 수, 보드 토폴로지가 중요하다. 두 개의 모듈을 어느 슬롯에 꽂는지, 채널당 DIMM을 한 개 쓰는지 두 개 쓰는지에 따라 신호 여유와 가능한 데이터 전송률이 달라진다. XMP와 EXPO는 표준 기본값보다 높은 설정을 편하게 불러오는 프로필이며, CPU·보드·모듈 조합이 그 설정을 안정적으로 유지해야 한다.
부팅 때 반복 재시작하거나 DRAM LED에서 오래 머무는 현상은 메모리 학습 과정과 관련될 수 있다. 진단은 모듈 하나와 권장 슬롯으로 시작해 슬롯·모듈·채널을 교차하고, 기본 JEDEC 설정에서 먼저 안정성을 확인한다.
구조를 따라 읽기
DRAM 구조에서 셀·행·뱅크를 이해한 뒤 DDR 세대 비교와 DIMM과 메모리 폼팩터로 규격을 넓힌다. 실제 구성은 메모리 채널·랭크·토폴로지, 수치 해석은 메모리 타이밍과 실제 지연시간이 이어진다. 프로필과 오류 보호는 JEDEC·XMP·EXPO, ECC 메모리에서 나누며, 부팅과 문제 해결은 Memory Training과 메모리 문제 진단을 본다.